PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄

来源：学生作业帮编辑：大师作文网作业帮分类：综合作业时间：2024/09/26 00:34:30

这是别人的回答：
电场强度等于：掺杂浓度*宽度（e=nd*w）
电势差等于：电场强度*宽度
所以：电势差等于掺杂浓度*宽度的平方.
产生的电势差一样时,高掺杂的掺杂浓度大,所以耗尽层宽度窄.
我觉得也可以这么理解,高掺杂就好像我们加上了正向电压,正向电压会与内部接触电场相抵消,这也是正向导通的的原理,所以浓度高,建立起的耗尽层宽度也就窄了.（个人观点）

PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏为什么高掺杂的半导体耗尽层窄关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题 1.当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将变（）模电书中说在掺杂浓度不对称的PN结中耗尽区在重掺杂一边延伸较小而在轻掺杂一边延伸较大这是为什么啊自学模电不易为什么PN结又叫做阻挡层和耗尽层? PN结耗尽层中的杂质离子为什么不能移动? 为什么掺杂浓度越高,PN结越窄? PN结空间电菏区是耗尽层,怎么还有扩散电流和返回电流平衡的说法为什么PN结(空间电荷区)的电荷密度越大,宽度更窄? PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大