大师作文网真空磁控溅射ITO的最佳靶基距,硅靶中频反应溅射SIO2的最佳靶基距.
来源：学生作业帮 编辑：大师作文网作业帮 分类：物理作业 时间：2024/11/12 19:14:52
真空磁控溅射ITO的最佳靶基距,硅靶中频反应溅射SIO2的最佳靶基距.
ITO 的靶基距在100-200mm之间最好,用中频时靶基距应该更小.
靶基距和当时的真空度、靶的尺寸、靶电流和表面温度等有关,不可一概而论.
再问： 靶基距一般都是100mm范围内最好，怎么你的数据会那么大，
再答： 我用的靶可能和你有的有所不同，我用矩形靶 150 x 700
再问： 我们也是矩形靶，那也差不多啊，我们靶基距好像50mm左右，应该没超过70mm
再答： 靶基距较小可以提高镀膜速度，但是均匀性较差，尤其是有电阻率和透光要求时。边沿和中心都会有影响。
再问： 请问您是哪个公司的？在这方面经验确实很丰富，小弟在这块才刚开始，请多指教指教！边沿电阻高可能是因为温度散热较快，影响了沉积速率，我们这边叫边缘效应，是行业没办法避免的，测电阻一般都是距边缘26mm内有效，中间电阻低其实与边缘是相对的，散热最慢，温度比较集中，沉积的好一些。不知道我这样理解可对？
再答： 经常交流，共同进步。 我是沈阳聚东真空技术研究所。
靶基距和当时的真空度、靶的尺寸、靶电流和表面温度等有关,不可一概而论.
再问： 靶基距一般都是100mm范围内最好，怎么你的数据会那么大，
再答： 我用的靶可能和你有的有所不同，我用矩形靶 150 x 700
再问： 我们也是矩形靶，那也差不多啊，我们靶基距好像50mm左右，应该没超过70mm
再答： 靶基距较小可以提高镀膜速度，但是均匀性较差，尤其是有电阻率和透光要求时。边沿和中心都会有影响。
再问： 请问您是哪个公司的？在这方面经验确实很丰富，小弟在这块才刚开始，请多指教指教！边沿电阻高可能是因为温度散热较快，影响了沉积速率，我们这边叫边缘效应，是行业没办法避免的，测电阻一般都是距边缘26mm内有效，中间电阻低其实与边缘是相对的，散热最慢，温度比较集中，沉积的好一些。不知道我这样理解可对？
再答： 经常交流，共同进步。 我是沈阳聚东真空技术研究所。