大师作文网电子技术试题求解三、填空题1.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的 特性来实现的.2.三种基本组态双极型三极管放大电路中
来源：学生作业帮 编辑：大师作文网作业帮 分类：综合作业 时间：2024/11/12 09:56:52
电子技术试题求解
三、填空题
1.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的 特性来实现的.
2.三种基本组态双极型三极管放大电路中,若希望源电压放大倍数大,宜选用共 __ 极电路,若希望带负载能力强,宜选用共 极电路,若希望从信号源索取的电流小,宜选用共 极电路,若希望用作高频电压放大器,宜选用共 极电路.
3.本征半导体掺入微量的五价元素,则形成 型半导体,其多子为 ,少子为 .
4.差动放大电路具有电路结构___ _的特点,因此具有很强的__ 零点漂移的能力.它能放大__ _模信号,而抑制___ __模信号.
5._______通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途径.
6.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况,其中 是可逆的,而 会损坏二极管.
7.PN结正偏是指P区电位 N区电位.
8.测量三级晶体管放大电路,得其第一级电路放大倍数为－30,第二级电路放大倍数为30,第三级电路放大倍数为0.99,输出电阻为60 ,则可判断三级电路的组态分别是 、 、 .
9.D触发器的特征方程为 ,JK触发器的特征方程为 ,T触发器的特征方程为 .
10.逻辑表达式中,异或的符号是 ,同或的符号是 .
11.格雷码又称________码,其特点是任意两个相邻的代码中有_______位二进制数位不同.
四、简答题
1.简述产生零点漂移的原因.
2.简述三极管能起放大作用的内部原因和外部原因.
五、计算分析题
1.二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压Uo.设二极管的导通压降为0.7V.
2.电路如图所示,VCC＝12V,晶体管为硅管,UBE=0.7V, =50.
1).画出直流通路和交流通路；
2).求静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ；
3).计算电压放大倍Au；
4).求放大电路的输入电阻Ri；
5).求放大电路的输出电阻Ro；
3.用卡诺图法化简：Y=
4.试分析下图逻辑电路,写出逻辑表达式和真值表,表达式化简后再画出新的逻辑图.
5.用与非门设计一个举重裁判表决电路.设举重比赛有3个裁判,一个主裁判和两个副裁判.杠铃完全举上的裁决由每一个裁判按一下自己面前的按钮来确定.只有当两个或两个以上裁判判明成功,并且其中有一个为主裁判时,表明成功的灯才亮.
三、填空题
1.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的 特性来实现的.
2.三种基本组态双极型三极管放大电路中,若希望源电压放大倍数大,宜选用共 __ 极电路,若希望带负载能力强,宜选用共 极电路,若希望从信号源索取的电流小,宜选用共 极电路,若希望用作高频电压放大器,宜选用共 极电路.
3.本征半导体掺入微量的五价元素,则形成 型半导体,其多子为 ,少子为 .
4.差动放大电路具有电路结构___ _的特点,因此具有很强的__ 零点漂移的能力.它能放大__ _模信号,而抑制___ __模信号.
5._______通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途径.
6.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况,其中 是可逆的,而 会损坏二极管.
7.PN结正偏是指P区电位 N区电位.
8.测量三级晶体管放大电路,得其第一级电路放大倍数为－30,第二级电路放大倍数为30,第三级电路放大倍数为0.99,输出电阻为60 ,则可判断三级电路的组态分别是 、 、 .
9.D触发器的特征方程为 ,JK触发器的特征方程为 ,T触发器的特征方程为 .
10.逻辑表达式中,异或的符号是 ,同或的符号是 .
11.格雷码又称________码,其特点是任意两个相邻的代码中有_______位二进制数位不同.
四、简答题
1.简述产生零点漂移的原因.
2.简述三极管能起放大作用的内部原因和外部原因.
五、计算分析题
1.二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压Uo.设二极管的导通压降为0.7V.
2.电路如图所示,VCC＝12V,晶体管为硅管,UBE=0.7V, =50.
1).画出直流通路和交流通路；
2).求静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ；
3).计算电压放大倍Au；
4).求放大电路的输入电阻Ri；
5).求放大电路的输出电阻Ro；
3.用卡诺图法化简：Y=
4.试分析下图逻辑电路,写出逻辑表达式和真值表,表达式化简后再画出新的逻辑图.
5.用与非门设计一个举重裁判表决电路.设举重比赛有3个裁判,一个主裁判和两个副裁判.杠铃完全举上的裁决由每一个裁判按一下自己面前的按钮来确定.只有当两个或两个以上裁判判明成功,并且其中有一个为主裁判时,表明成功的灯才亮.
1.反向击穿特性
2.共发射极组态(电压放大倍数大) 共集电极(带负载能力强) 共集电极(信号源输出电流小) 共基极(高频电路)
3.N型半导体 多子为自由电子 少子为空穴
4.对称性的特点.抑制零点漂移能力,放大差模信号 抑制共模信号
5.直流通路确定Q点 交流通路确定信号传输途径.
6.电击穿可逆 热击穿会烧坏二极管
7.P区接高电位 N区接低电位
8.共发射极/共基极/共集电极
9.D触发器 Qn+1=D JK触发器Qn+1=J非Qn+K.Qn非 T触发器 Qn+1=T异或Qn
(没办法输入逻辑符号 你要是学过应该看得懂吧)
10.同上 符号没办法输入
11.循环码 1位不同
零点漂移原因:电路中的三极管和其他元器件的参数受温度变化的影响发生了改变 导致放大器的Q点随温度变化 在输出端 输出电压偏移起始值
内部原因:发射区掺杂最大 基区最薄 集电区面积最大
外部原因:发射结正偏 集电结反偏
后面的计算题你没图就没办法算了哈
不过都挺简单的
百分百保证我回答的问题绝对正确 因为我就是教这个的老师!
2.共发射极组态(电压放大倍数大) 共集电极(带负载能力强) 共集电极(信号源输出电流小) 共基极(高频电路)
3.N型半导体 多子为自由电子 少子为空穴
4.对称性的特点.抑制零点漂移能力,放大差模信号 抑制共模信号
5.直流通路确定Q点 交流通路确定信号传输途径.
6.电击穿可逆 热击穿会烧坏二极管
7.P区接高电位 N区接低电位
8.共发射极/共基极/共集电极
9.D触发器 Qn+1=D JK触发器Qn+1=J非Qn+K.Qn非 T触发器 Qn+1=T异或Qn
(没办法输入逻辑符号 你要是学过应该看得懂吧)
10.同上 符号没办法输入
11.循环码 1位不同
零点漂移原因:电路中的三极管和其他元器件的参数受温度变化的影响发生了改变 导致放大器的Q点随温度变化 在输出端 输出电压偏移起始值
内部原因:发射区掺杂最大 基区最薄 集电区面积最大
外部原因:发射结正偏 集电结反偏
后面的计算题你没图就没办法算了哈
不过都挺简单的
百分百保证我回答的问题绝对正确 因为我就是教这个的老师!
电子技术试题求解三、填空题1.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的 特性来实现的.2.三种基本组态双极型三极管放大电路中
模拟电子技术中,放大电路的三种基本组态是如何区分的?
在三种基本组态的三极管放大电路中,有电流放大作用,而且U0与Ui为同向关系的是----放大电路?
第4题 在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是
具体怎样区分三极管放大电路的三种基本组态
电容降压电路中的稳压管能否改用7805之类的三端稳压管?
稳压管稳压电路中限流电阻的功率选择
放大电路的三种组态是怎样定义的
PN结的反向击穿电压是多少?二极管三极管和稳压管是否一样呢?
PN结实验的问题.稳压二极管反向伏安特性曲线与PN结反向伏安特性曲线有什么区别?稳压二极管是如何实现稳压的?
怎样判断三极管放大电路的三种基本状态?
请画出用一个三极管,一个稳压管,一个电阻组成的简易稳压电路