当PN结正偏压超过内电场
来源:学生作业帮 编辑:大师作文网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/09/25 17:10:21
当PN结正偏压超过内电场
PN结正偏时,外电场驱使载流子进入空间电荷区中和,内电场被削弱变窄,扩散继续进行而形成扩散流;当正偏压超过内电场时,是否意味着内电场被完全中和抵消?(如果PN结正向耐流很大)那再增加的正偏压是不是会驱使载流子进入另一区而增加少子的浓度梯度,使扩散更剧烈?
请大侠提点一二
PN结正偏时,外电场驱使载流子进入空间电荷区中和,内电场被削弱变窄,扩散继续进行而形成扩散流;当正偏压超过内电场时,是否意味着内电场被完全中和抵消?(如果PN结正向耐流很大)那再增加的正偏压是不是会驱使载流子进入另一区而增加少子的浓度梯度,使扩散更剧烈?
请大侠提点一二
这个问题具有深刻的物理意义;与许多基本概念有关:pn结势垒的高度和宽度,大注入状态,双极导电等.
当正偏电压使得pn结势垒的高度降低到0以后,势垒宽度也相应地减薄为0,即总的势垒消失.这时,实际上有大量的空穴从p型一边注入到n型一边,同样也有大量的电子从n型一边注入到p型一边,结果在两边都有大量的电子和空穴——大注入的结果,即不能区分出少数载流子和多数载流子了,于是两种载流子都导电,则在pn结两边的导电性都大大提高,整个半导体即变成了很好导电的状态.因此伏安特性类似于电阻,即这时的pn结就不再具有非对称的单向导电性的特性了.
当正偏电压使得pn结势垒的高度降低到0以后,势垒宽度也相应地减薄为0,即总的势垒消失.这时,实际上有大量的空穴从p型一边注入到n型一边,同样也有大量的电子从n型一边注入到p型一边,结果在两边都有大量的电子和空穴——大注入的结果,即不能区分出少数载流子和多数载流子了,于是两种载流子都导电,则在pn结两边的导电性都大大提高,整个半导体即变成了很好导电的状态.因此伏安特性类似于电阻,即这时的pn结就不再具有非对称的单向导电性的特性了.
当PN结正偏压超过内电场
PN结的内电场方向是啥
什么叫PN结的内建电场
哪位大神知道什么是PN结的内电场?
关于PN结的问题《模拟电子技术基础》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷,而N区带有不能自由移动的正
外加偏压时,半导体pn结中任意截面的电子空穴电流之和为什么相等?
关于半导体PN结正向偏置时,电场与内电场相反,扩散运动增大应该会导致PN结增大,怎么会是减小呢
我想知道为什么pn结的内建电场无法直接测量
PN结外加正向电压作用下,内电场是削弱吗?
给PN结加正向偏压,这时什么载流子参与漂移运动?什么载流子参与扩散运动?
PN结内有电场,PN结两端为什么没有电压
求PN结上的电场分布?