大师作文网TTL与CMOS电路的区别是什么?
来源：学生作业帮 编辑：大师作文网作业帮 分类：综合作业 时间：2024/11/10 22:03:17
TTL与CMOS电路的区别是什么?
由TTL和CMOS个组成的相似门电路,（如与非门,输入端皆由一条高电平和一条51欧电阻接地,输出结果有何不同?为什么?）
由TTL和CMOS个组成的相似门电路,（如与非门,输入端皆由一条高电平和一条51欧电阻接地,输出结果有何不同?为什么?）
功耗
TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比,是较大的,约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流,引起较大的动态功耗.
速度
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路.影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值.电阻数值越大,工作速度越低.管子的开关时间越长,门的工作速度越低.门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd.将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”,做为器件性能的一个重要指标,其值越小,表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）.与TTL门电路的情况不同,影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CL.CL是主要影响器件工作速度的原因.由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒.
TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比,是较大的,约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流,引起较大的动态功耗.
速度
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路.影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值.电阻数值越大,工作速度越低.管子的开关时间越长,门的工作速度越低.门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd.将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”,做为器件性能的一个重要指标,其值越小,表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）.与TTL门电路的情况不同,影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CL.CL是主要影响器件工作速度的原因.由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒.
TTL与CMOS电路的区别是什么?
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