Gate to Source和Drain to

来源：学生作业帮编辑：大师作文网作业帮分类：综合作业时间：2024/11/12 06:51:25

Gate to Source和Drain to
电子方面的术语.
OK 找到了，不过和三极管的基极基极，集电极，发射极有啥区别呢。
场效应管MOSFET
栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。
源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。
漏极(drain)drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极

Gate to Source: 栅源电压
Drain to source：漏源电压
区别不太大,主要是掺杂不同,之间还存在沟道,当然MOSFET和三极管还有很多不同,找了些资料,仅供参考如下：
三极管用于功率应用电路中时,有很多局限性,虽然在一些电器中仍
能采用双极型三极管,但是它们的用途实际上被限制到小於10KHZ
的电路,并且在整体效率成为关键参数的技术前沿应用中,它们已
基本全部退出.
BJT是少数载流子器件,而所有少数载流子器件相关的存储电荷问题
限制了最大工作速度,而MOSFET的主要优势是作为多数载流子
器件,不存在少数载流子存储电荷问题,因此,其工作频率要高的
多,MOSFET的开关延迟特性完全是因为寄生电容的充放电.
由於器件在开关状态的持续时间内既有大电流又有高电压,器件工作
速度快,其损耗的能量就较少,仅这一个优势就能弥补高压
MOSFET存在的导通损耗稍高的问题.
双极型三极管受电流驱动,因为增益随集电极电流的增加而大幅度降
低,我们要驱动的电流越大,则我们需要提供的电流也越大,在高
温的情况下会加重,需要更大的电流,这不但使三极管消耗大量的功率,还会使其需要能够快速泵出和吸收电流的相当复杂的基极驱动
电路,相比之下,MOSFET在栅极实际上消耗的电流基本为零,
甚至在1250C的典型栅极电流都小於100nA.一旦寄生电容被充电
,由驱动电路提供的电流就非常低,其驱动电路也极为简单.
MOSFET另外一个优点是不存在二次损坏机制,具有比较宽的SOA,
而由於BJT导通电阻是负温度系数,高温下会流入更多的电流,最
终出现不可逆转的破坏,而MOSFET能够应用于一段短时间内的
大电流和高电压,这就避免了二次击穿对器件超成的破坏,同时,
MOSFET导通电阻具有正的温度系数,比BJT相比,更容易并联使
用.
MOSFET内部寄生的二极管使其在电感负载开关应用中,不需要增加
额外的成本就能起到箝位二极管的作用.

Gate to Source和Drain to 三极管中,Drain ,Gate ,source中文是什么意思? 请问一元器件中Source、Drain、Gate英文什么意思,是什么元器件它的电路图符号如下请问walk to a gate the gate to the park Gate out to client是什么意思 the neutral to ground at source 英语翻译和"I want to go to the pet shop at the south gate","We ca hacking to the gate的罗马拼音 this gate requires a key to 英语翻译Open Source Hardware:When MIT researchers helped to buil this doesn't seem to be a valid source