PN结光生伏特效应的基本原理.

来源：学生作业帮编辑：大师作文网作业帮分类：物理作业时间：2024/11/12 00:44:53

PN结光生伏特效应的基本原理.

用光照射硅等半导体的PN结由于光电效应而生成从N到P流过的电流,光子能够在P型硅和N型硅中将电子从共价键中激发,以致产生电子－空穴对.界面层附近的电子和空穴在复合之前,将通过空间电荷的电场作用被相互分离.电子向带正电的N区和空穴向带负电的P区运动.通过界面层的电荷分离,将在P区和N区之间产生电压!

PN结光生伏特效应的基本原理. 关于pn结中的光生伏特效应的光生载流子的运动的问题 PN结的电容效应也称结电容体光生伏特效应是什么, 霍尔效应法测量磁场的基本原理是什么? 什么是光生伏特效应光声伏特效应如何产生不好意思是，光生伏特效应！什么是财政政策的“挤出效应”?它受哪些因素影响?请简述“挤出效应”的基本原理,什么样的政策可有效削弱或消除“挤出效应”? PN结为什么具有电容效应? 电子伏特与伏特的关系为什么光生伏特效应器件比光电导器件效应速度快光电发射效应与光电导和光生伏特效应相比本质区别是什么