半导体物理与器件题目,求费米能级
来源:学生作业帮 编辑:大师作文网作业帮 分类:英语作业 时间:2024/09/22 01:02:57
半导体物理与器件题目,求费米能级
the electron concentration in silicon at 300K is n0=2*10^5 cm^-3,(a)determine the position of theFermi level with respect to the valence band energy level; (b) determin p0; (c) is this n- or p- type material?
the electron concentration in silicon at 300K is n0=2*10^5 cm^-3,(a)determine the position of theFermi level with respect to the valence band energy level; (b) determin p0; (c) is this n- or p- type material?
(a)n0=ni*exp[(Ef-Ei)/K*T],Ef是费米能级,Ei是本征费米能级,ni为300k时Si的本征载流子浓度,这个可以查书上的图得到,大约是1.5*10^10,这里计算主要计算能级差,结果可以表述为Ef在Ei下方几eV处.
(b)根据质量作用定理,ni^2=p0*n0,从而求得p0的大小
(c)显然p0>>n0,因此半导体为p-type
再问: (a)里面的with respect to the valence band energy level不是计算Ef和Ev之间的关系吗。。。为什么是Ei? (b)我当时也是用ni^2=p0*n0算的,可是和书上答案不一样啊。书上答案是2.414*10^14(cm^-3)
再答: 如果不根据Ei来算就需要知道导带底的态密度,这个是实验没法测的,而ni是可以通过实验测量的,尤其是人们已经深入了解Si材料的性质,你基本可以在任何一本半导体物理书上查到Si材料ni与温度的关系,所以ni是不用计算的。如果p0的计算结果不差量级是没有问题的,不一定非要和答案一模一样,因为不同的书用的可能是不同的实验值,而且人为观察查曲线的过程本身就存在误差。
(b)根据质量作用定理,ni^2=p0*n0,从而求得p0的大小
(c)显然p0>>n0,因此半导体为p-type
再问: (a)里面的with respect to the valence band energy level不是计算Ef和Ev之间的关系吗。。。为什么是Ei? (b)我当时也是用ni^2=p0*n0算的,可是和书上答案不一样啊。书上答案是2.414*10^14(cm^-3)
再答: 如果不根据Ei来算就需要知道导带底的态密度,这个是实验没法测的,而ni是可以通过实验测量的,尤其是人们已经深入了解Si材料的性质,你基本可以在任何一本半导体物理书上查到Si材料ni与温度的关系,所以ni是不用计算的。如果p0的计算结果不差量级是没有问题的,不一定非要和答案一模一样,因为不同的书用的可能是不同的实验值,而且人为观察查曲线的过程本身就存在误差。
半导体物理与器件题目,求费米能级
n型半导体与p型半导体费米能级的差别
什么是“费米能级钉扎效应”(半导体物理或固体物理中的)
N型半导体与电解质接触后(两者有个界面),因N型半导体费米能级高,故N型半导体的电子流向两者界面
从固体物理统计热力学的角度上来说,费米能级降低,半导体导带边缘下降,电池的开路电压因而降低.
关于固体物理的布里渊区和费米能级.
什么事费米能级啊?
有哪些由半导体制成的物理器件?比如二极管...
费米能级在半导体导电性能描述中的作用,它的变化情况和温度,掺杂等的关系又如何?
当n型和p型半导体紧密接触形成pn结时,若没有外加偏压,费米能级处处相等?为什么呢
1费米能级 2激子光吸收
费米能级和化学势什么关系