英语翻译SIC材料是继SI、GaAs之后的第三代半导体材料.它一种宽带隙半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和
来源:学生作业帮 编辑:大师作文网作业帮 分类:英语作业 时间:2024/11/12 22:36:05
英语翻译
SIC材料是继SI、GaAs之后的第三代半导体材料.它一种宽带隙半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、热导率高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性好等优良的物理化学物质,以及与硅集成电路工艺兼容等特点,成为制造高温、高频、大功率、抗辐射、不挥发存储器件及光电集成器件的优选材料.
日语版的有谁可以,
SIC材料是继SI、GaAs之后的第三代半导体材料.它一种宽带隙半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、热导率高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性好等优良的物理化学物质,以及与硅集成电路工艺兼容等特点,成为制造高温、高频、大功率、抗辐射、不挥发存储器件及光电集成器件的优选材料.
日语版的有谁可以,
SIC material following the SI,GaAs semiconductor material after the third generation.It is a wide bandgap semiconductor material with a large band gap,high breakdown voltage,high electron saturation drift velocity,high electron mobility,high thermal conductivity,dielectric constant is small,strong resistance to radiation,chemical stability,etc.excellent physical and chemical substances,and is compatible with silicon integrated circuit technology,etc.,into manufacturing high-temperature,high frequency,high power,radiation,non-volatile memory devices and optoelectronic integrated devices preferred material.
英语翻译SIC材料是继SI、GaAs之后的第三代半导体材料.它一种宽带隙半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和
英语翻译摘要:PTC 材料是一种温度敏感的铁电半导体材料,是近年来发展迅速的新型电子材料之一,但目前高居里温度 PTC
第一代、第二代、第三代半导体材料分别是?
无定形Si是半导体材料么
下列材料可以做半导体材料的是?
(2012•安庆二模)砷化镓(化学式为GaAs)是一种重要的半导体材料.砷化镓中砷元素显-3价,则镓元素的化合价是(
禁带宽度窄的半导体材料为什么不能做太阳能电池?请从理论上给予解释
现代集成电路可以使用化合物如GaAs,或者使用半导体材料 .A.Ca B.Si C.C D.Fe
光敏电阻是半导体材料还是超导体材料?
作为电极的半导体材料具有什么特性?
怎样的半导体材料适合做太阳能电池材料
(4)二氧化硅是硅的一种化合 物,硅单质及其化合物的用途极其广 泛,制备硅半导体材料必须先得到高 纯硅,三氯甲硅烷(Si